常识GBU602桥堆参数，插件GBU602整流桥堆资料,GBU6D替代

光源加速

GBU602插件整流桥堆引脚图与规格书，GBU602中文PDF|壹芯微桥堆文中提到MOSFET天生有着强韧的生命力，经过风吹雨打也能化茧成蝶成为最优秀的自己。壹芯微科技技术力量雄厚,首席工程师曾多年服务于台湾强茂,有丰富的研发生产经验,公司与国内外一流半导体企业定期举行技术交流并与华南理工大学建立长期研发合作关系,公司建立了高标准的二三极管可靠性实验室,配备了大量先进的专用设备。https://www.szyxwkj.com/Products/2sk3003.html

壹芯微科技专业生产插件GBU602，提供GBU602插件桥堆规格书参数。GBU602插件桥堆的作用
类型：整流桥反向重复峰值电压（VRRM）：200V
比较大平均整流电流（IO）：6A非重复峰值正向电流（IFSM）：175A
正向电压降（VF）：1V反向漏电流（IR）：5μA
【连续正向电流（IF）＝3A】
反向漏电流（IR）：5μA结电容（C）：100F
反向方均根电压（VR(RMS)）：140V
GBU602插件桥堆规格书,点击下载查看：GBU6005-GBU610
GBU602插件桥堆的引脚规格参数如下：


GBU602插件桥堆的GBU封装尺寸如下：
壹芯微科技专注于二,极管、MOS(场效应管)、桥堆研发、生产与销售，21年行业经验，拥有先进全自动化双轨封装生产线、高速检测设备等，研发技术、芯片源自台湾，专业生产流程管理及工程团队，保障所生产每一批物料质量稳定和更长久的使用寿命，现高度自动化生产，大幅降低人工成本，促进更好的性价比势！选择壹芯微，还可为客户提供参数选型替代，送样测试，技术支持，售后服务等，如需了解更多详情或比较新报价